Avec des transistors verticaux, IBM et Samsung vont pouvoir doubler la vitesse de leurs processeurs. © IBM et Samsung
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IBM et Samsung vont prolonger la loi de Moore avec des transistors verticaux

ActualitéClassé sous :électronique , processeur , transistor

IBM et Samsung viennent d'annoncer un nouveau procédé de gravure pour continuer à mettre toujours plus de transistors dans les processeurs. En les plaçant à la verticale, ils pourraient augmenter la vitesse des processeurs ou réduire leur consommation électrique.

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La loi de Moore énoncée en 1965, puis corrigée en 1975, postule que le nombre de transistors dans un microprocesseur double tous les deux ans. Pendant des décennies, cette loi s'est avérée mais elle se heurte désormais à un obstacle sérieux : la taille des atomes. Avec la prochaine génération de processeurs gravés en 2 nanomètres, les transistors ont quasiment atteint leur taille minimale.

Toutefois, la loi de Moore n'est pas encore battue. Lors de l'IEDM, une conférence internationale sur les semi-conducteurs, IBM et Samsung ont annoncé avoir trouvé un moyen astucieux d'augmenter la densité de transistors sans en réduire leur taille. Plutôt que de les graver horizontalement, côte à côte, ils seront placés tout simplement à la verticale, telle une forêt. Cette technique a été baptisée Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), ou transistors à effet de champ à transport vertical.

Des processeurs deux fois plus rapides

Cette avancée réduira l'espace entre les transistors ainsi que les pertes électrostatiques et parasitiques. IBM et Samsung ont indiqué que cela permettrait de doubler la vitesse des processeurs ou alors de diminuer leur consommation électrique de 85 %.

Selon les deux firmes, nos smartphones pourraient un jour disposer d'une autonomie d'une semaine et la consommation électrique du minage de cryptomonnaies pourrait être largement réduite. Toutefois, la course à la miniaturisation n'est pas terminée pour autant. De son côté, Intel avait annoncé cet été sa feuille de route avec son « ère angström » (1 angström correspond à 0,1 nanomètre). Le constructeur a annoncé son procédé 20A (2 nm) pour 2024 et 18A (1,8 nm) pour 2025.

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