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Intel révèle son nouveau procédé de fabrication à 90 nm

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Après IBM et HP, Intel annonce à son tour des avancées importantes dans les nanotechnologies qui seront intégrées dans leur procédé de fabrication à 90 nm dès l'année prochaine pour une production de masse sur tranche 300 mm.

Intel commercialise aujourd'hui des puces fabriquées par un procédé à 0,13 µm (130 nm) et la prochaine génération à 90 nm doit combiner :

- des transistors optimisés avec une longueur de porte (gate) de seulement 50 nm, soit le plus petit et le plus rapide des transistors CMOS jamais produit. Les oxydes de porte ne mesurent que 5 couches atomiques d'épaisseur (1,2 nm) ce qui augmente la vitesse du transistor,

- la technologie « strained silicon » (silicium tendu) améliorant les flux électriques et par conséquence la vitesse de transistor,

- des interconnexions cuivre avec un nouveau matériau diélectrique à faible k qui, dopé en carbone, augmente la vitesse des signaux dans la puce et diminue la consomation énergétique.

Intel a ainsi révélé en février dernier une SRAM de 52 Mb (330 millions de transistors sur 109 mm2) fabriquée par le procédé 90 nm dans la fab D1C (unité de fabrication de développement) 300 mm d.Hillsboro, Oregon. Intel espère consacrer 3 fabs au procédé 90 nm sur tranche 300 mm en 2003. Le premier microprocesseur fabriqué sur cette technologie sera Prescott, au deuxième semestre 2003.

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