Pendant longtemps, les industriels du semi-conducteur ont cru qu'il serait nécessaire de remplacer le silicium par de nouveaux matériaux plus coûteux pour parvenir à accroître la vitesse de commutation des transistors.

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    IBM dévoile aujourd'hui ses premiers transistors silicium/germanium qui permettent d'atteindre des vitesses de commutationcommutation de 285 GHz en laboratoire et de 100 GHz pour des applications commerciales.

    Plus performants, consommant beaucoup moins d'énergieénergie, ces transistors peuvent être fabriqués dans les mêmes conditions que les actuels CMOSCMOS. Cette accroissement de la vitesse des transistors devrait avoir un impact immédiat sur les réseaux de communications par fibres optiquesfibres optiques et sur les communications sans fil.