Selon le professeur, Chenming Hu, de l'université de Berkeley, une couche supplémentaire de germanium pourrait être nécessaire dans les prochaines puces de silicium.

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    Note : les Bulletins Electroniques (BE) sont un service ADIT et sont accessibles gratuitement sur www.bulletins-electroniques.com

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    En effet, les concepteurs actuels de puces se retrouvent face à un dilemme. Pour augmenter les performances des circuits, ils ont besoin de fabriquer des transistors de plus en plus petits. Cette miniaturisation entraîne cependant de nouveaux problèmes tel que des courants de fuite et d'autres difficultés.

    Les chercheurs ont bien développé de nouveaux matériaux et architectures, mais ces problèmes restent toujours d'actualité. Les chercheurs de Berkely ont démontré qu'en ajoutant une couche de trois nanomètres de germanium sur les waferwafer de silicium, la mobilité des électronsélectrons augmenterait mais ne créerait pas d'effets secondaires négatifs.

    La couche de germanium pourrait être ajoutée comme suit : un wafer de germanium avec une couche d'hydrogènehydrogène incluse serait collé à un wafer de silicium. Après chauffage, l'expansion de l'hydrogène contenu dans le double wafer permettrait d'éliminer la couche de germanium indésirable. Selon, Chenming Hu, ajouter du germanium augmenterait certes les coûts, mais la quantité réelle de matériel consommée serait faible.

    Il rappelle également que l'industrie du semiconducteursemiconducteur tout entière traite seulement l'équivalent de 2 kilomètres carrés de wafer de silicium par an. Avant d'être à Berkeley, Chenming Hu, exerçait le poste de Chief Technology Officer au sein du géant Taiwanais TSMC.