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Matrix Semiconductor a annoncé la mise au point d'une puce mémoire à l'architecture originale et d'une capacité de stockage d'un gigabit, soit deux fois plus que son précédent produit.
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Pour augmenter les performances de ses puces, la compagnie californienne a en effet opté depuis plusieurs années pour une solution de gravure horizontale et verticale, plutôt que de tout miser sur la miniaturisation des composants.
Cette technique en 3 dimensions lui a permis d'empiler 4 couches de transistors, séparées chacune par une couche isolante de polysilicium, obtenant ainsi un gain de surface 3 fois supérieur aux autres cartes mémoires équivalentes d'Intel ou d'AMD.
L'approche, qui repose sur la technologie CMOS maîtrisée depuis longtemps, permet par ailleurs de réduire les coûts de production. On peut noter qu'elle fait également l'objet de travaux dans le monde des processeurs.
Cependant, cette nouvelle puce mémoire ne se prête pas à toutes les applications ; au contraire des mémoires Flash non volatiles à écriture multiple, elle n'autorise qu'une écriture unique de type ROM. Plusieurs industriels comme Mattel ou Sharp se sont toutefois déclarés intéressés, par exemple pour des dictionnaires électroniques.
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