La ReRAM ou RRAM (Resistive Random Access Memory) est une mémoire non volatile étudiée par plusieurs entreprises (dont Fujitsu, Sharp et Samsung). A l'échelle d'une cellule mémoire, contenant un 0 ou un 1, elle comporte une structure pouvant exister sous deux formes, présentant des résistances électriques différentes. Le passage de l'une à l'autre s'opère en appliquant une certaine tension aux bornes de cette résistance (écriture). La mesure de la résistance indique l'état de la mémoire (lecture).
Plusieurs matériaux ont été testés, dont des oxydes métalliques (nickel, titane...) ainsi que la perovskite (céramiques ferroélectriques). Quel que soit le matériau, le principe reste similaire. A l'écriture, quand la tension est suffisamment élevée, il se forme dans le substrat une structure en forme de filament de faible résistance électrique. Une tension plus forte parvient à rompre ce filament et la résistance électrique augmente (d'un facteur de l'ordre d'une centaine).
La ReRam est présentée comme une concurrente, et possible successeur de la mémoire Flash, présentant par rapport à elle l'avantage d'une possibilité plus grande de miniaturisation et d'une consommation moindre.
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