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Mémoire à accès aléatoire à changement de phase (Phase-Change Ram).
Mémoire électronique permanente (conservant l'information sans alimentation électrique) utilisant le changement de phase d'un matériaumatériau particulier, existant sous deux formes, vitreuse et cristalline. Le passage de l'une à l'autre est assuré par une élévation en température, l'opération représentant l'écriture d'un 0 ou d'un 1. Le matériau utilisé est un verre à chalcogénureschalcogénures (chalcogenide glass en anglais, souvent traduit, à tort, par verre chalcogénide ou chalcogènide).
Ce procédé est également employé pour les disques réinscriptibles, CD ou DVD (les « RW » et non les « R »), dans lesquelles l'information est codée par les changements de phases du matériau. Dans ce cas, l'écriture est réalisée par l'échauffement à l'aide du laserlaser. La lecture est optique, le rayon laser étant mieux réfléchi par la forme cristallineforme cristalline que par la forme vitreuse.
Dans une PRam, l'écriture est réalisée par un échauffement créé par des impulsions électriques. La lecture est effectuée par un faible courant électriquecourant électrique. La résistivitérésistivité (résistance électriquerésistance électrique par unité de longueur) étant beaucoup plus forte pour la forme vitreuse que pour la forme cristalline, le courant sortant permet de distinguer les deux états.
IntelIntel, SamsungSamsung et IBMIBM ont présenté des modèles de PRam. Son domaine d'utilisation est celui de la mémoire Flash, avec l'avantage d'une vitessevitesse d'écriture trente fois plus élevée et une duréedurée de vie dix fois plus grande (chiffres annoncés par Samsung). En février 2008, Intel et STMicroelectronics ont présenté une PRam à quatre états.
La possibilité d'utiliser ce phénomène pour une mémoire électronique a été proposée en 1970 par R.G. Neale, D.L Nelson et G.E. Moore (Gordon Edward Moore, le co-fondateur d'Intel) dans la revue Electronics (Electronics 43 (20): 56-&; Amorphous semiconductors. 1. Non-volatile and reprogrammable, read-mostly memory is here).)
