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La structure 2D d'un feuillet de graphène. Ce matériau a été isolé pour la première fois en 2004. © Jannik Meyer
Une équipe franco-américaine menée par le Georgia Institute of Technology (Atlanta, États-Unis) et incluant des scientifiques du CNRS, du synchrotron Soleil, de l'institut Jean Lamour (CNRS/université de Lorraine, Nancy) et de l'institut Néel (Grenoble) est parvenue à mettre au point une technique de production de bandes de graphène semi-conductrices, basée sur le contrôle du substrat sur lequel se produit la croissance du graphènegraphène. Leurs résultats, publiés dans Nature Physics le 18 novembre 2012, ouvrent la voie à une électronique de très haute fréquence.
Une monocouche d'atomes de carbone : c'est ainsi que se présente le graphène. L'empilement de monocouches constitue le graphitegraphite. De très nombreuses recherches sont menées depuis une dizaine d'années sur ce matériaumatériau. En effet, ses propriétés hors normes (mobilité électronique élevée, forte conductivité thermiqueconductivité thermique, stabilité chimique et possibilité de moduler sa conductanceconductance électrique par un champ électriquechamp électrique) le rendent particulièrement attrayant pour l'électronique. En particulier, sa mobilité électronique, c'est-à-dire la vitessevitesse à laquelle se déplacent les électronsélectrons en son sein, lui promet des applicationsapplications dans l'électronique de très haute fréquence, ou térahertz.
Le synchrotron Soleil, cet instrument gigantesque, ouvre aux scientifiques les portes de l'infiniment petit. Il produit une lumière extrêmement puissante qui permet d'explorer le cœur de la matière. © Synchrotron Soleil, Dailymotion
Mais sous sa forme naturelle, le graphène possède une structure métallique. Il est par conséquent conducteur de courant. Or, pour que ce matériau soit utilisable en microélectronique, il est nécessaire de l'obtenir sous une forme semi-conductrice. Les chercheurs de l'équipe franco-américaine y sont parvenus.
Vers une électronique au carbone avec le graphène
En s'appuyant notamment sur les résultats de la ligne de lumièrelumière Cassiopée du synchrotron Soleil, les scientifiques ont mis au point une technique de production de bandes de graphène semi-conductrices. Basée sur le contrôle de la géométrie du substrat sur lequel a lieu la croissance du graphène, elle consiste à graver des nanosillons sur une surface en carbure de silicium (SiC). Sur ce substrat, le graphène croît sous la forme d'un ruban dont le bord, semi-conducteursemi-conducteur, est lié à du graphène métallique. Cette bande semi-conductrice ne mesure que quelques nanomètresnanomètres de largeur.
Cette technique permet non seulement de travailler à température ambiante, mais également d'obtenir une bande de graphène semi-conductrice cinq fois plus fine que le record détenu par IBM en lithographielithographie. Par ailleurs, la production de graphène est extrêmement coûteuse. Or, l'équipe franco-américaine est parvenue à produire des dizaines de milliers de ces rubans aux bords semi-conducteurs, ce qui rend envisageable leur production à l'échelle industrielle. Un pas de plus vers la fabrication de circuits intégréscircuits intégrés à haute densité à base de carbone.
par CNRS
le 21 novembre 2012
