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Ce nouveau type de mémoire a été obtenu par l'intégration d'une fonction de contrôle mémoire à l'intérieur d'une mémoire de type AND. Cette fonction permet à la mémoire de détecter elle-même les secteurs défectueux et de les remplacer par des secteurs réservés prévus à cet effet.
Les mémoires flash de type AND conventionnelles contiennent environ 2 % de secteurs défectueux qui doivent être contrôlés par des circuits électroniques extérieurs. Grâce à l'intégration de cette fonction de contrôle dans la mémoire flash, leur conception s'en trouve simplifiée et leur taille peut être réduite. La mémoire flash superAND d'Hitachi possède également des fonctions plus traditionnelles telles qu'une fonction de mise à niveau pour répartir les données de manière uniforme entre les différentes sections, une fonction de lecture sous tension et une fonction de veille profonde.
Cette société a développé quatre versions de sa mémoire flash superAND dont la différence réside dans la structure de la mémoire (8 ou 16 bits), la tension (1,8 V ou 3,3 V) et le type d'empaquetage. Ces mémoires ont une capacité de stockage de 16 MO, Hitachi prévoit d'élargir cette taille à 32 MO puis 64 MO.
Jusqu'à présent, seules les mémoires flash de type NOR étaient utilisées dans les dispositifs portables tels que les téléphones portables et les assistants numériques (PDAPDA), en raison de leur capacité à intégrer des fonctions spécifiques. Les mémoires flash de type AND, sans fonctions internes, étaient plutôt limitées aux cartes mémoirescartes mémoires. L'intégration de fonctions dans les mémoires de type AND pourrait bien changer cet état de fait. Avec la mémoire flash superAND Hitachi vise clairement le marche des téléphones portables et des PDA.
par Adit
le 9 avril 2002
