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Sur sa galette, le circuit expérimental de mémoire Flash NAND à 64 Gbits par puce… © Samsung
En gravant avec une finesse de 30 nanomètresnanomètres (contre 65 pour les modèles actuels) des circuits de mémoire Flash (celle des clés USB et des cartes mémoire), SamsungSamsung en augmente considérablement la capacité. Elle atteint 64 Gbits (gigabits) par puce. Le circuit (expérimental) présenté par le fabricant coréen affichait effectivement une capacité de 8 Go (gigaoctets). La commercialisation est prévue en 2009.
Une carte mémoire, de type SD par exemple (comme celle que l'on glisse dans un baladeur ou un appareil photo), pourrait intégrer seize de ces puces 64 Gbits et donc embarquer 128 Go. Insérée dans un caméscope numérique, une telle carte permettrait de filmer en haute définition, envoyant aux oubliettes de l'histoire les cassettes DV, les enregistreurs DVDDVD voire les disques dursdisques durs portatifs.
Samsung imagine également des disques SSD (solid-state drive), c'est-à-dire des boîtiers des stockage externes s'utilisant comme un disque dur mais ne contenant aucune partie mécanique. En format 1,8 pouce (celui des petits disques conçus pour les baladeurs), la capacité atteindrait 512 Go.
