La recherche sur les dispositifs "spintroniques" porte essentiellement sur des structures qui mettent en jeu des matériaux inorganiques, semiconducteurs composés et métaux ou alliages métalliques magnétiques.

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    Note : les Bulletins Electroniques (BE) sont un service ADIT et sont accessibles gratuitement sur www.bulletins-electroniques.com

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    L'utilisation de matériaux organiques peut toutefois être intéressante dans la mesure où les interactions spin-orbite dans les molécules sont faibles, et qu'ainsi la polarisation des spins peut être conservée beaucoup plus longtemps et sur des distances plus importantes que dans les semiconducteurssemiconducteurs traditionnels.

    Au NISTNIST (National Institute of Standards and Technology), des chercheurs de la division Semiconductor Electronics s'intéressent à la caractérisation de barrières tunnel faites d'une couche organique d'octanethiol de dimension nanométrique placée en sandwich entre des électrodes de nickel et cobaltcobalt.

    En s'appuyant sur des mesures électriques sous champ magnétiquechamp magnétique (caractérisation de la magnétorésistancemagnétorésistance de la jonction et spectroscopie de tunneling électronique), l'équipe vient de montrer sans ambigüité que c'était bien la couche moléculaire qui contrôlait le comportement du dispositif, la dépendance en polarisation de la magnétorésistance de la jonction étant attribuable à la diffusiondiffusion inélastique des électronsélectrons due aux vibrationsvibrations moléculaires.

    Il s'agit là de résultats encourageants quant à la possibilité d'exploiter les nanosystèmes moléculaires dans dispositifs spintroniquesspintroniques.

    Par Roland Hérino