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Intel entre à son tour sur le marché de la mémoire Flash en trois dimensions. Associé à Micron, le géant américain a mis au point des puces mémoire dont l’architecture en 3D se compose de 32 couches verticales interconnectées. Le fondeur annonce des SSD de la taille d’une gomme d’une capacité de 3,5 To et des SSD standard de 2,5 pouces qui pourront contenir jusqu’à 10 To de données. © Intel
Les smartphones, tablettes, ordinateurs et autres serveurs basés sur des systèmes de stockage à mémoire Flash devraient connaître une hausse importante de leur capacité à partir de l'année prochaine. En effet, coup sur coup, Intel et Toshiba ont annoncé l'arrivée de nouvelles puces de mémoire Flash NAND à architecture 3D qui promettent de lever les limites actuelles de stockage des SSD et des terminaux mobilesmobiles.
La finesse de gravuregravure de la mémoire Flash approche d'une limite physiquephysique, où chaque nouvelle génération demande des investissements toujours plus lourds. Les principaux fabricants ont donc décidé de basculer sur une architecture 3D qui consiste à empiler des cellules (dies en anglais) afin d'augmenter la densité par unité de surface. Les bénéfices sont multiples : vitessevitesse d'écriture plus importante, meilleure fiabilité et consommation d'énergieénergie moitié moindre que la mémoire Flash classique.
L'été dernier, Samsung fut le premier à commercialiser un SSD utilisant de la mémoire Flash 3D. Chacune des puces mémoire de ce SSD 850 Pro est composée de 32 couches de formes cylindriques interconnectées perpendiculairement au plan du circuit. Mais Toshiba, à qui l'on doit l'invention de cette architecture en trois dimensions (en 2007), a franchi un palier technique supplémentaire en annonçant des puces à 48 couches. Associée à la firme américaine SanDisk dans le développement et la production de ces puces mémoire en 3D, le géant japonais indique que cette nouvelle structure nommée BiCS offre une densité de 128 Gbits (16 Go) avec deux bits par cellule. La production de cette NAND 3D devrait débuter courant 2016 dans l'usine japonaise de Yokkaichi.
Toshiba est l’inventeur de la mémoire Flash à architecture 3D qu’il a dévoilée en 2007. La firme japonaise a travaillé conjointement avec SanDisk pour développer une puce mémoire totalisant 48 couches, contre 32 pour les mémoires Flash 3D actuelles. La production de cette NAND 3D devrait débuter courant 2016. © Toshiba
Intel promet des SSD de 10 To
Toshiba et SamsungSamsung vont bientôt être rejoints par IntelIntel qui s'est allié à MicronMicron pour mettre au point sa propre mémoire Flash 3D. Hasard du calendrier ou pas, le communiqué de presse du géant nord-américain est tombé le même jour que celui de Toshiba. Chez Intel, les cellules sont interconnectées sur 32 couches avec une densité de 256 Gbits MLC (multilevel cell) avec deux bits par cellule ou 384 Gbits TLC (triple-level cell) et trois bits par cellule. Cela permet d'obtenir des circuits pouvant contenir aller jusqu'à 48 Go.
Intel dit pouvoir fabriquer des SSD de la taille d'une gomme d'une capacité de 3,5 To, ainsi que des SSD de format standard (2,5 pouces) pouvant atteindre les 10 To. Le fondeur indique que la mémoire 3D en version 256 Gbits est déjà testée par des partenaires et que des échantillons de la version 384 Gbits arriveront d'ici la fin du printemps. La production de ces deux NAND 3D débutera au cours du quatrième trimestre. Intel et Micron ont également l'intention de commercialiser une gamme de SSD basés sur cette technologie qui sortira l'année prochaine. 2016 devrait donc voir une amélioration sensible du rapport prix/capacité du stockage SSD ainsi que l'arrivée de terminaux mobiles offrant un stockage Flash beaucoup plus important.
