Samsung passe à 30 nm pour la mémoire flash MLC

Le 23 Octobre 2007 à 14 h 49 - PresencePC

Samsung vient d'annoncer de la mémoire flash qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres (actuellement, on travaille plutôt en 56 nm, avec un passage prévu en 43 nm). Pour la mémoire MLC uniquement Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n'est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi

Lire la news




Sur le même thème

A voir : Actualités - Dossiers - Définitions - Fond écran - Carte virtuelle
Index : Actualité - Dossier - Définition - Fond d'écran - Musée - Entreprises - Guide High-Tech
Index des ressources : A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z - Tags | Index des photos (1 - 2 - 3 - 4 - 5)
En ce moment : 7 merveilles du monde - Crop Circles - Terre vue du ciel - Carte de voeux - Carte anniversaire - Google Sky
Forums (archives) : Habitat - Dépannage - Electronique - Internet - Orientation - Logiciel - Santé | Et : Forum sciences - Emploi science

© 2001-2008 Futura-Sciences - Tous droits réservés - Mentions légales - Plan du site