Samsung : finesse de gravure de 40nm pour la memoire flash

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Samsung : finesse de gravure de 40nm pour la memoire flash

Le 12 Septembre 2006 à 08 h 53 - GNT Informatique

Samsung a annoncé ses prévisions concernant la mémoire Flash. Selon la société coréenne, les puces de mémoire NAND Flash devrait atteindre une finnesse de gravure de 20nm. Samsung en a également profité pour dévoiler la PRAM. Cette technologie de mémoire est prévue en remplacement de la mémoire NOR.

Et aussi, chez GNT Informatique...

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