Mémoire flash : Toshiba passera au 30 nm en 2009

Le 09 Octobre 2007 à 16 h 18 - PCINpact

Toshiba prévoit la production de mémoire flash gravée à une finesse de 30 nm pour la seconde moitié de l'année 2009. La firme avait déjà annoncé un passage au 43 nm dès l'année 2008, elle produit actuellement sa mémoire flash en 56 nm.

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